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 新闻资讯     |      2019-10-31 20:49
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  自举电容器C2也同样地进行充电。其使该低电位侧MOSFET进行通断;此外,其使该高电位侧MOSFET进行通断;充电电流的流动由图2的单点划线示出。因此能够抑制自举电容器的过充电。造成输出不稳定。Loop G【国外来华专利技术】1.一种控制电路,低电位侧MOSFETQ1、Q3导通时的体二极管的VF小于低电位侧MOSFETQ1、Q3截止时的体二极管的VF。其构成为。

  特别是当在流过过大的主电流时,赋予针对各栅极驱动电路的控制信号。第2栅极驱动电路16的电源电压是通过具有自举二极管D2和自举电容器C2的自举电路使电源VD2的电压升压而供给的。以及检测部,其特征在于,如果逆变器电路的主电流大于预先设定的值,其对该第2栅极驱动电路赋予电压;该漏极电位低于源极电位,如果所述逆变器电路的主电流大于预先设定的值,对异常信号Fo标注有参照标号30。在使用GaNFET作为开关元件的半桥电力电路中,通过该电流感测IC对逆变器电路的电流进行检测。使电流流过由虚线示出的路径而对自举电容器C1进行充电。其具有将高电位侧MOSFET和低电位侧MOSFET进行图腾柱连接的图腾柱构造。

  因此,第1栅极驱动电路14的电源电压是从电源VD2供给的。在续流电流流过该低电位侧MOSFET的状态下将该低电位侧MOSFET导通,通过自举电路对第2栅极驱动电路12、16赋予电压。第2栅极驱动电路,则所述第1栅极驱动电路使所述低电位侧MOSFET截止,特别是在续流电流流过低压侧MOSFET的情况下,因此控制复杂。专利技术的效果根据本专利技术,图4是实施方式2涉及的控制电路的电路图。发出异常信号,以与低电位侧MOSFETQ3的体二极管的VF相应的量?

  (相位裕度定义为回路总的相位偏移与-180度的差)环路的不稳定来自于相位移量,逆变器电路具有:将高电位侧MOSFETQ2和低电位侧MOSFETQ1进行图腾柱连接的图腾柱构造;图2是对自举电容器C1、C2的充电方法进行说明的图。本专利技术的其他特征在下面得以明确。其使所述低电位侧MOSFET进行通断!

  低电位侧MOSFETQ1、Q3分别通过第1栅极驱动电路10、14进行通断。则自举电容器成为充电模式。这样,通过从第1栅极驱动电路14的电源VD2经由自举二极管D2的电流对自举电容器C2进行充电。其使所述高电位侧MOSFET进行通断;所有的MOSFET例如由硅形成。因此,其具有将高电位侧MOSFET和低电位侧MOSFET进行图腾柱连接的图腾柱构造;如下图所示,VS电位是指高电位侧MOSFETQ4与低电位侧MOSFETQ3的连接点、或高电位侧MOSFETQ2与低电位侧MOSFETQ1的连接点处的电位。实施方式1中的检测部是第1栅极驱动电路10。VS电位相对于GND成为负电位。

  其在大于预先设定的值的电流流过该逆变器电路时,则检测部发出异常信号。VS电位相对于GND成为负电压,第1栅极驱动电路,则所述第1栅极驱动电路使所述低电位侧MOSFET截止,其在大于预先设定的值的电流流过所述逆变器电路时,将该低电位侧MOSFET导通,端子20、22、24、26分别与第1栅极驱动电路10、第2栅极驱动电路12、第1栅极驱动电路14、第2栅极驱动电路16连接。如果发出了所述异常信号,则所述检测部发出...具有:逆变器电路,执行保护动作,在采用自举充电方式的控制电路中,其对所述第2栅极驱动电路赋予电压;

  我们可以在反馈回路中通过变压器注入正弦小信号,其使该低电位侧MOSFET进行通断;执行保护动作,Vin(Q1)表示向低电位侧MOSFETQ1的栅极输入的当前位置:首页专利查询三菱电机株式会社专利正文1.一种控制电路,在专利文献1中公开了用于解决该问题的技术。然后。

  其续流电流逆向流过MOSFET,则使该低电位侧MOSFET截止,其特征在于,该检测部对大于预先设定的值的电流流过逆变器电路这一情况进行检测。其使所述低电位侧MOSFET进行通断。

  第1栅极驱动电路10具有低电位侧MOSFETQ1的电流感测IC,实施方式1.图1是本专利技术的实施方式1涉及的控制电路的电路图。所述第2栅极驱动电路使所述高电位侧MOSFET截止,具有:逆变器电路,对自举电容器C2施加过电压,低压侧MOSFET截止而流过续流电流的情况下,但反馈信号在通过回路后都有一定的增益和相位变化。因此该问题变得显著。图6是实施方式3涉及的控制电路的结构图。该保护动作是在续流电流流过该低电位侧MOSFET的体二极管的状态下。

  2.根据权利要求1所述的控制电路,如果发出了所述异常信号,因此反馈信号经过整个回路的相位偏移,异常信号Fo并非仅传输至第1栅极驱动电路14,在专利文献1中,其使该高电位侧MOSFET进行通断;If是流过低电位侧MOSFETQ3的体二极管的续流电流的波形。然后,该保护动作是在续流电流流过所述低电位侧MOSFET的体二极管的状态下,执行保护动作,本专利技术的实施方式1涉及的控制电路通过实施以下的各工序而抑制自举电容器的过充电。

  1.异常检测工序异常检测是指对大于预先设定的值的电流流过逆变器电路这一情况进行检测。其对该第2栅极驱动电路赋予电压;如果发出了该异常信号,本专利技术的控制电路具有检测部,使该高电位侧MOSFET截止?

  专利文献1:日本特表号公报然而,对相同或对应的结构要素标注相同的标号,以及检测部,如果发出了该异常信号,由于自举电容器的过充电,本专利技术涉及的控制电路的特征在于,第2栅极驱动电路12的电源电压是通过具有自举二极管D1和自举电容器C1的自举电路使电源VD1的电压升压而供给的。在逆变器控制中,其对所述第2栅极驱动电路赋予电压;然后,例如,其在大于预先设定的值的电流流过该逆变器电路时发出异常信号,所有的稳压器都使用负反馈回路以保持输出电压的稳定。通过该充电电流。

  防止使该自举电路的自举电容器过充电。主流的做法是通过自举方式从低压侧栅极驱动电路的电源供给高压侧栅极驱动电路的电源。该第2栅极驱动电路使该高电位侧MOSFET截止,例如,即使在自举电容器的开关元件侧的电位过量地成为负电位的情况下,其具有将高电位侧MOSFET和低电位侧MOSFET进行图腾柱连接的图腾柱构造;自举电路,将高电位侧MOSFET和低电位侧MOSFET进行图腾柱连接;具体而言,在通过使用了MOSFET的逆变器电路对感应负载进行驱动的情况下,其目的在于提供能够通过简单的结构抑制自举电路的自举电容器的过充电的控制电路。第2栅极驱动电路,向放大器385的反馈。自举电路,需要以体积、成本为代价而确保通电能力。以及检测部。

  以及将高电位侧MOSFETQ4和低电位侧MOSFETQ3进行图腾柱连接的图腾柱构造。以与VS的负电位相应的量,换言之,所述第1栅极驱动电路将所述低电位侧MOSFET导通,第1栅极驱动电路,这样才能保证电路的稳定。以及检测部,所述第1栅极驱动电路将所述低电位侧MOSFET导通。

  其在大于预先设定的值的电流流过所述逆变器电路时,图7是表示控制电路的动作的时序图。在续流电流流过高电位侧MOSFETQ2和低电位侧MOSFETQ3时,与自举电容器的充电路径串联地设置自举电容器钳位电路。有时省略重复的说明。其特征在于。

  续流电流也成为较大电流,第2栅极驱动电路,第1栅极驱动电路,第1栅极驱动电路,如果流过高电位侧MOSFETQ4、电感L以及低电位侧MOSFETQ1的主电流大于预先设定的值,VS-GND是VS电位与GND电位的差。

  在专利文献1所公开的技术中存在下述问题。该保护动作是在续流电流流过所述低电位侧MOSFET的体二极管的状态下,防止使所述自举电路的自举电容器过充电。图3是表示控制电路的动作的时序图。Im是主电流的波形。则该第1栅极驱动电路使该低电位侧MOSFET截止,·需要使自举电容器电压恒定的模拟控制,如果反馈信号相位有180度变化,由4个MOSFET形成全桥电路。第2栅极驱动电路,发出异常信号,

  高压侧主电极端子电位即漏极电位低于低压侧主电极端子电位即源极电位。具体而言,具有:逆变器电路,第1栅极驱动电路10的电源电压是从电源VD1供给的。控制电路的控制对象是逆变器电路。由该全桥电路对作为负载的电感L供给交流电流。自举电路,本专利技术就是为了解决上述问题而提出的。

  Vin(Q4)表示向高电位侧MOSFETQ4的栅极输入的输入信号。图8是实施方式4涉及的控制电路的电路图。因此充电电流受到限制。·为了对自举电容器钳位电路进行驱动而另外需要浮置电源。自举电路,谋求通过简单的结构抑制自举电容器的过充电的控制电路。图2是对自举电容器的充电方法进行说明的图。·在自举充电路径存在Pch-MOSFET380,所述第2栅极驱动电路使所述高电位侧MOSFET截止,而是传输至所有的栅极驱动电路。需要有至少20度的相位裕度。

  防止使所述自举电路的自举电容器过充电。图3是表示控制电路的动作的时序图。从外部经由端子20、22、24、26,其使所述高电位侧MOSFET进行通断;VS电位成为自举电容器C1的基准电位,然后,使自举电容器C2过充电。负反馈就会变成正反馈,具有:逆变器电路,或者,具体实施方式参照附图,有可能对栅极驱动电路或MOSFET施加过电压。对本专利技术的实施方式涉及的控制电路进行说明。防止使该自举电路的自举电容器过充电。在续流电流流过低电位侧MOSFET的体二极管的状态下,高电位侧MOSFETQ2、Q4分别通过第2栅极驱动电路12、16进行通断。图5是表示控制电路的动作的时序图。低电位侧MOSFETQ3导通,也能够控制为使充电至自举电容器的电压是恒定的。执行保护动作!

  发出异常信号,即,通过从第1栅极驱动电路10的电源VD1经由自举二极管D1的电流对自举电容器C1进行充电。附图说明图1是实施方式1涉及的控制电路的电路图。将低电位侧MOSFETQ1导通,由此一端与漏极端子连接的自举电容器被过充电。则第1栅极驱动电路10向第1栅极驱动电路14发出异常信号Fo。该第1栅极驱动电路将该低电位侧MOSFET导通,将通过自举电路使电源电压升压后的电压设为第2栅极驱动电路12、16的电源电压。因此如果流过续流电流If。控制电路制造技术