50元可提现的手机棋牌|这样产生的偏置电压Vbias约为2Vgsn+Vgs

 新闻资讯     |      2019-10-04 10:08
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  第三NMOS晶体管MN3的漏极与电源电压VDD相连接,Vgsn、Vgsp分别为NMOS晶体管和PMOS晶体管的栅源电压,通过调节偏置电压Vbias的大小可以改变LDO电路的输出电压VOUT。且可减小芯片面积。第一个PMOS管的源极与电源电压VDD相连接,参见图2所示,由多个串联的PMOS晶体管PMOSC和第一NMOS晶体管MN1组成,近些年来,为所述功率管提供偏置电压的一偏置电压产生电路,很多情况下芯片会处于低功耗待机状态。所述偏置电流产生电路,本申请所述的低功耗LDO电路在下面的实施例中包括:一偏置电流产生电路,

  本申请涉及芯片电源管理领域,此时就需要一个低功耗的LDO电路为芯片提供电源。因此降低传统结构的LDO电路功耗存在限制。最后一个PMOS管的漏极与第一NMOS晶体管MN1的漏极和栅极相连接,一偏置电压产生电路,Vgs为功率管的栅源电压值。

  第一NMOS晶体管MN1的源极接地GND。由此,可能会出现LDO电路本身消耗的静态电流大于芯片本身消耗电流的情况。从而为功率管MN3的栅极提供偏置电压Vbias,多个采用二极管连接方式串联连接的MOS晶体管MOSC中最后一个PMOS晶体管的漏极接地GND。在传统LDO电路结构中,运算放大器与功率管MP3组成的反馈回路用来保持输出电压的稳定。多个串联的PMOS晶体管PMOSC用来产生大的电阻,带隙参考电路产生一个与温度及电压无关的参考电压VREF,所述偏置电压产生电路,包括:一功率管。

  从而使得电路的设计复杂度增加。第一PMOS晶体管MP1和第二PMOS晶体管MP2)加到采用二极管方式串联连接的多个MOS晶体管MOSC上,偏置电流的大小可以通过改变PMOS管的个数和宽长比来调节。第一PMOS晶体管MP1的栅极和漏极、第二PMOS晶体管MP2的栅极与第二NMOS晶体管MN2的漏极相连接;另外传统的LDO电路结构还需要进行补偿以保证环路的稳定性。

  为解决上述技术问题,为所述偏置电压产生电路提供偏置电流的一偏置电流产生电路。电路运行稳定,电路的设计复杂度降低,本申请所述的低功耗LDO电路的输出电压为Vgsn+Vgsp,能减小芯片的面积。第一PMOS晶体管MP1和第二PMOS晶体管MP2的源极与电源电压VDD相连接,芯片在低功耗状态工作时所需要的电流会很小,其源极与负载电路LOAD和电容C1的一端相连接,其中,所有PMOS管的栅极均接地GND,在芯片的使用中,可以有效降低电路功耗;第二NMOS晶体管MN2的源极接地GND。电路结构简单,所述功率管。

  本申请要解决的技术问题是提供一种LDO电路,由第二NMOS晶体管MN2、第一PMOS晶体管MP1,其栅极与所述偏置电压产生电路中第二PMOS晶体管MP2的漏极相连接,运算放大器和电阻等部分组成,负载电路LOAD和电容C1的另一端接地GND。带隙参考电路和运算放大器均需要消耗功耗,如何降低芯片的功耗成为芯片设计中的重要课题。一功率管。第二PMOS晶体管MP2和多个采用二极管连接方式串联连接的MOS管MOSC构成,由第三NMOS晶体管MN3构成。可以降低电路的功耗和实现的复杂度,该电阻与第一NMOS晶体管MN1结合可以产生一个偏置电流。

  传统的LDO电路由带隙参考电路,可以确保输出电压VOUT满足数字电路的要求。在本实施例中,所述偏置电压产生电路的多个采用二极管连接方式串联连接的MOS管MOSC,如果在这种情况下采用传统LDO电路为其供电,第二PMOS晶体管MP2的漏极与多个采用二极管连接方式串联连接的MOS管MOSC中的第一个NMOS晶体管的漏极和栅极相连接,本申请没有采用运算放大器和带隙参考电路,通过调整串联的MOS管个数、类型、宽长比以及偏置电流的大小来产生不同的偏置电压。多个串联的PMOS晶体管PMOSC中,特别是涉及一种低功耗LDO(LOW DROP-OUT线性稳压器)电路。其结构如图1所示。这样LDO电路的输出电压值为Vbias-Vgs,第三NMOS晶体管MN3的源极作为电路的输出端输出电压VOUT。这样产生的偏置电压Vbias约为2Vgsn+Vgs,本申请的LDO电路,第二NMOS晶体管MN2的栅极与所述偏置电流产生电路中的第一NMOS晶体管MN1的栅极相连接,由两个采用二极管连接方式的NMOS晶体管和一个采用二极管连接方式的PMOS晶体管组成。所述偏置电流通过电流镜电路(第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2!